 |
光発電素子（LPC、レーザー光発電素子）注目の光ファイバー給電 遠隔地からファイバー経由で送られたレーザー光を電力に変換する素子です。 850nmベースと1400nmベースのものがあります。伝送距離と必要電力で使い分けします。メタルでは給電不能の場所、ノイズ対策、超クリーンな電源が必要な仕様等に最適です。 遠隔通信基地のアンプへの電源供給、メタルでのクリーン電源の供給が難しい場所、劣悪環境下のセンサーへの電源供給等に幅広くご使用されています。本器は偏波依存性がなく、レーザー光源の偏波には影響されません。 Ultra-High Power 915-980nm PPC.pdf へのリンク） |
 |
VCSELチップ ～１０GbpsまでのVCSELチップをご仕様に合わせインプラ型、酸化狭窄型の中からご仕様に合った最適なものを供給致します。 |
 |
VCSELアレイ 1x16までのVCSELアレイ。２Dアレイについてもお問い合わせ下さい。 |
 |
GaAsPIN、IｎGaAsPINチップ 10GbpsまでのPINチップ。各種仕様あり。 |
 |
GaAsPIN、InGaAsPINアレイ 1x16までのPINアレイ。２Dアレイについてもお問い合わせ下さい。 |
 |
各種ROSA 850nmから1620nm、周波数応答は～１０Gbpsまでの各種 お客様のご要望のスタイルを低価格でお答え致します。 |
 |
各種TOSA 850nmから1620nm、周波数応答は～１０Gbpsまでの各種 お客様のご要望のスタイルを低価格でお答え致します。 |
 |
各種BOSA 各種規格に合せた780/850、850/980、1310/1550、1310/1480、1550/1610等 如何なるTｘとRxのコンビーネションでも製作致します。 RFoG用BOSAも 承ります。 |
 |
3金属接合太陽電池（InGap/InGaAs/Ge) 光/電力変換率35％以上の超高効率 ご要望によりウェハーから製作致します。 |
 |
3金属接合太陽電池（InGap/InGaAs/Ge) SMDタイプ 光/電力変換率35％以上の超高効率 SMDの中に配置する電池の大きさ、数はご指定戴けます。 |
 |
センサー用高出力VCSELチップ 標準出力35mW、驚異的低価格、お客様ご仕様で製作出来ます。 |